一、制备工艺：路线与控制差异
1. 六角片氢氧化镁（高端晶型调控路线）
以高纯卤水 / 氯化镁为原料，采用水热合成 + 晶面精准控制工艺：
先在温和条件下生成初级沉淀，再经高温高压水热反应（120–220℃），让晶体沿特定晶面生长，形成规则六边形薄片状，径厚比 8–15:1。
全程严控 pH、温度、搅拌与晶型调节剂，无团聚、无杂晶，纯度可达99.5%–99.9%。
2. 化学法氢氧化镁（传统沉淀路线）
以卤水 / 镁盐 + 碱液直接沉淀，经洗涤、干燥、粉碎得产品：
工艺简单、成本低，但过饱和度高、结晶失控，产物为无定形、不规则颗粒粉末。
石灰乳法纯度低（含 Ca、Si 杂质）；NaOH法纯度较高（99% 左右），但仍无晶型控制。
粒径分布宽（1–50μm），易团聚，比表面积高但有效界面差。
二、微观结构与理化性质：形貌决定性能
1. 晶体形貌与尺寸
六角片：规则六边形薄片状，边缘清晰、结晶完整；D50 多为0.6–2.5μm，粒径分布极窄，单分散性好。
普通化学法：无定形 / 不规则颗粒、团聚体，形状杂乱；粒径分布宽（1–50μm），易团聚，无规整晶型。
2. 纯度与杂质
六角片：99.5%以上，Fe、Ca、Si 等杂质 <50ppm，白度>96 。

普通化学法：98%–99%，杂质稍高，白度>95 。