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商品详情
| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | Microsemi | ||
| 封装 | 标准封装 | ||
| 批号 | 23 | ||
| 数量 | 1000 | ||
| 制造商 | Microchip | ||
| 产品种类 | IGBT模块 | ||
| RoHS | 是 | ||
| 集电极—射极饱和电压 | 3.3V | ||
| 在25C的连续集电极电流 | 128A | ||
| 栅极—射极漏泄电流 | 100nA | ||
| Pd-功率耗散 | 543W | ||
| 封装\/箱体 | SOT-227-4 | ||
| 最小工作温度 | -55C | ||
| 最大工作温度 | 150C | ||
| 高度 | 9.6mm | ||
| 长度 | 38.2mm | ||
| 工作温度范围 | -55Cto 150C | ||
| 宽度 | 25.4mm | ||
| 安装风格 | ChassisMount | ||
| 栅极\/发射极最大电压 | 20V | ||
| 单位重量 | 30g | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | APT75GP120J | ||
技术参数
| 品牌： | Microsemi |
| 型号： | APT75GP120J |
| 封装： | 标准封装 |
| 批号： | 23 |
| 数量： | 1000 |
| 制造商： | Microchip |
| 产品种类： | IGBT 模块 |
| RoHS： | 是 |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO： | 1.2 kV |
| 集电极—射极饱和电压： | 3.3 V |
| 在25 C的连续集电极电流： | 128 A |
| 栅极—射极漏泄电流： | 100 nA |
| Pd-功率耗散： | 543 W |
| 封装 / 箱体： | SOT-227-4 |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | 150 C |
| 高度： | 9.6 mm |
| 长度： | 38.2 mm |
| 工作温度范围： | - 55 C to 150 C |
| 宽度： | 25.4 mm |
| 安装风格： | Chassis Mount |
| 栅极/发射极最大电压： | 20 V |
| 单位重量： | 30 g |
