氧化硅抛光液简介

氧化硅抛光液（也称胶态二氧化硅抛光液）是化学机械抛光（CMP）工艺中的核心耗材，核心作用是通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用，实现硬脆材料表面高效大余量平坦化加工，精准控制材料去除速率，确保抛光工件达到基础平坦、无深度损伤的加工表面要求。

高效实现大余量平坦化，兼顾去料效率与制程衔接性。

“高效大余量平坦化” 是行业核心要求，指通过抛光快速去除基材加工余量、修正表面形貌，将材料表面平整度控制在适配后续中精抛的标准范围，实现无深划痕、无崩边的均匀加工表面，以实现：

1. 超高加工效率：快速完成粗抛 / 粗精抛工序，大幅缩短整体加工周期，提升规模化生产产能。
2. 低损伤去料：避免抛光过程对基材造成深层物理 / 化学损伤，保障后续中精抛工序的加工基础。
3. 精准制程衔接：实现均匀一致的抛光效果，完美匹配后续中抛、精抛工序的表面要求，提升整体制程良率。

铭衍海氧化硅抛光液 MYH-SOP150 产品特点

1. 粒度精准：90-110nm分散磨粒，分布窄，实现大余量高效去除，无深划痕、无崩边。
2. 切削力强劲：高效研磨各类高硬度硬脆材料，快速去除加工余量，粗抛效率显著提升。
3. 悬浮稳定：久置不分层、不沉淀、不团聚，批次间性能高度一致，抛光重复性。
4. 环保易清洗：水性体系，无重金属残留，无难溶有机成分，纯水可快速冲净无残留。
5. 适配性强：适配半导体、光学、精密陶瓷等多领域粗抛 / 粗精抛需求，兼容主流抛光机台与抛光垫。

铭衍海氧化硅抛光液 MYH-SOP150 应用范围

氧化硅抛光液主要用于各类高硬度硬脆材料与器件的化学机械粗抛 / 粗精抛加工，核心作用是高效去除加工余量、修正基材表面形貌、实现基础平坦化，为后续中抛、精抛工序奠定优质基础，适用产品如下：

一、半导体晶圆与衬底（核心应用）

单晶硅 / 多晶硅晶圆粗抛、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等化合物半导体衬底粗精抛

半导体封装基板、晶圆级封装器件前期基础抛光

二、光学晶体与光学器件

蓝宝石衬底（LED / 光学专用）粗抛、石英晶体、光学玻璃粗精抛

铌酸锂（LN）/ 钽酸锂（LT）晶体前期去料、红外光学晶体基础形貌修正

三、精密陶瓷与电子器件

氧化锆陶瓷、氧化铝精密陶瓷器件粗抛

硬盘基片前期基础抛光、玻璃盖板粗精抛、精密金属基片表面大余量研磨

四、特种精密器件与基材

光纤连接器插芯前期粗研磨、保偏光纤器件基础平坦化

微电子机械系统（MEMS）器件基材粗抛、特种石英器件、稀土掺杂光学基材粗精抛

常见类型

专用粗抛液：仅用于粗抛 / 粗精抛工序，切削力极强、去料速率高，适配规模化高效加工需求。

多段式抛光液：兼顾粗抛与中抛，适配简易加工制程，简化操作流程、减少工序切换成本。

定制化抛光液：可根据客户需求调整粒径、固含量、pH 值，适配特殊高硬度硬脆材质 / 工艺抛光。

储存与使用

温度：5℃ ~ 35℃，防冻（<0℃磨粒结块失效）、防高温（>35℃破坏体系稳定性）、防晒避光密封存放。

使用前：充分搅拌均匀，确保磨粒分散一致；可原液使用或按 1:1~1:10 比例用去离子水稀释，稀释后再次充分搅匀，避免浓度不均影响抛光效果。